Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs - Systèmes RF
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs

Sujan Sarkar
  • Fonction : Auteur
Indian Institute of Technology Madras
Khallil Karrame
Systèmes RF
Khade Ramdas Pandurang
  • Fonction : Auteur
Indian Institute of Technology Madras
Florent Gaillard
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1116992
Systèmes RF
Jean-Christophe Nallatamby
XLIM
CV
Raphaël Sommet
Systèmes RF
CV
Nandita Dasgupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063824
Indian Institute of Technology Madras
Amitava Dasgupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063825
Indian Institute of Technology Madras

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : mercredi 13 novembre 2024-14:43:25

Dernière modification le : mardi 19 novembre 2024-16:28:07

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Dates et versions

hal-04351485 , version 1 (13-11-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04351485 , version 1

Citer

Sujan Sarkar, Khallil Karrame, Khade Ramdas Pandurang, Florent Gaillard, Jean-Christophe Nallatamby, et al.. Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs. XXII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, Dec 2023, Chennai (India), India. ⟨hal-04351485⟩

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